个人简介：

        杨昭荣，研究员，博士生导师。1992年毕业于南京大学物理系获理学学士学位，2002年于中国科技大学获理学博士学位。2002年至2004年在比利时K. U. Leuven大学从事博士后研究工作。2004年获中科院首届优秀博士学位论文奖，2007年以第二完成人获安徽省科学技术奖一等奖，2009年以第三完成人获国家自然科学二等奖，2011年获安徽青年科技奖。在关联电子材料量子序调控研究等方面取得了系列成果，已发表SCI论文100余篇。

主要研究领域：

    强磁场-超高压-极低温综合极端条件下关联电子材料研究

代表性成果

1.Pressure-induced reemergence of superconductivity in the topological kagome metal CsV3Sb5, Phys. Rev. B 103, 224513 (2021).

2.Pressure-engineered optical properties and emergent superconductivity in chalcopyrite semiconductor ZnSiP2, NPG Asia Materials 13:15 (2021).

3.Long-Range Ordered Amorphous Atomic Chains as Building Blocks of a Superconducting Quasi-One-Dimensional Crystal, Adv. Mater. 32, 2002352 (2020).

4.Experimental evidence of crystal symmetry protection for the topological nodal line semimetal state in ZrSiS, Phys. Rev. B 100, 205124 (2019).

5.Field-Driven Quantum Criticality in the Spinel Magnet ZnCr2Se4, Phys. Rev. Lett. 120, 147204 (2018).

6.Superconductivity in Pristine 2 H a − MoS 2 at Ultrahigh Pressure, Phys. Rev. Lett. 120, 037002 (2018).

7.Concurrence of superconductivity and structure transition in Weyl semimetal TaP under pressure, npj Quantum Materials 2, 66 (2017).