个人简介：

张昌锦 2003年7月毕业于中国科学技术大学微尺度物质科学国家研究中心，获理学博士学位。2009年4月加入强磁场科学中心，任研究员。

     主要从事超导新材料探索和强磁场下的非常规超导电性研究。以主要作者和合作者在Nat. Commun, AM, JACS, PR系列等期刊上发表论文160余篇，引用3000余次。申请发明专利3项（授权2项）。

主要研究领域：

超导新材料探索                             

强磁场下的非常规超导电性

代表性成果

1.Ultrasensitive, Ultrafast and Gate-Tunable Two-Dimensional Photodetectors in Ternary Rhombohedral ZnIn₂S₄ for Optical Neural Networks Weili Zhen, Xi Zhou, Shirui Weng, Wenka Zhu & C. J. Zhang, ACS Applied Materials & Interfaces 14, 12571 (2022)

2.Controlled growth of indium selenides by high pressure and high temperature method Yajie Dai, Shouxin Zhao, Hui Han, Yafei Yan, Wenhui Liu, Hua Zhu, Xi Tang, Yang Li, Hui Li & Changjin Zhang Frontier in Materials 8, 816821 (2022).

3.Superconducting proximity effect in a van der Waals 2H-TaS₂/NbSe₂ heterostructure Hui Han, Jie Ling, Wenhui Liu, Hui Li, Changjin Zhang & Jiannong Wang Appl. Phys. Lett. 118, 253101 (2021).

4.Quantum criticality of the excitonic insulating transition in the nodal-line semimetal ZrSiS Jing-Rong Wang, Guo-Zhu Liu, Xiangang Wan & Changjin Zhang Phys. Rev. B 101, 245151 (2020).

2020-6-11一种精准转移二维材料的方法及应用 发明专利 李耀东;朱文卡; 张昌锦

2018-11-26一种二元磷族化合物材料的合成方法 发明专利 杨军，张昌锦，朱文卡